【台湾】TSMC、STマイクロとGaN開発で提携[IT](2020/02/24)

ファウンドリー(半導体の受託製造)世界大手の台湾積体電路製造(TSMC)は20日、シリコンに代わる次世代半導体として注目される窒化ガリウム(GaN)製造技術の開発で、スイスの半導体大手STマイクロエレクトロニクスと協力すると発表した。中央通信社などが伝えた。

STマイクロはTSMCのGaN製造技術を活用して、GaNデバイスを生産する計画で、年内にも主要顧客にサンプルを送付できる見通し。

GaNは従来のシリコンに比べて、電力変換効率が高く、省エネルギー化を実現できる。自動車や工業、通信、一部のコンシューマー・エレクトロニクス製品に適しているとされる。

TSMCの張暁強・業務開発副総経理は「当社のGaN製造技術とSTマイクロの製品設計能力を結集できる」と説明。GaNの高い電力変換効率を工業や自動車分野にも応用することで、自動車の電動化に貢献できるとの見方も示した。

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