【台湾】ＴＳＭＣ、ＳＴマイクロとＧａＮ開発で提携［ＩＴ］（2020/02/24）

ファウンドリー（半導体の受託製造）世界大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は20日、シリコンに代わる次世代半導体として注目される窒化ガリウム（ＧａＮ）製造技術の開発で、スイスの半導体大手ＳＴマイクロエレクトロニクスと協力すると発表した。中央通信社などが伝えた。

ＳＴマイクロはＴＳＭＣのＧａＮ製造技術を活用して、ＧａＮデバイスを生産する計画で、年内にも主要顧客にサンプルを送付できる見通し。

ＧａＮは従来のシリコンに比べて、電力変換効率が高く、省エネルギー化を実現できる。自動車や工業、通信、一部のコンシューマー・エレクトロニクス製品に適しているとされる。

ＴＳＭＣの張暁強・業務開発副総経理は「当社のＧａＮ製造技術とＳＴマイクロの製品設計能力を結集できる」と説明。ＧａＮの高い電力変換効率を工業や自動車分野にも応用することで、自動車の電動化に貢献できるとの見方も示した。