【韓国】ＳＫ、10ナノ級半ばの次世代ＤＲＡＭを開発［ＩＴ］（2018/11/13）

韓国半導体大手のＳＫハイニックスは12日、回路線幅が10ナノ（ナノは10億分の１）メートル台半ばのＤＲＡＭを開発したと発表した。

処理速度が速いＤＤＲ４型の８Ｇｂ（ギガビット）品で、10ナノメートル後半の既存製品と比べて、生産性が20％向上。消費電力も15％削減した。

通信速度は3,200メガビット毎秒（Ｍｂｐｓ）と、ＤＤＲ４型では最高水準の速度の安定的な維持に成功した。データ転送時に送受信する信号を通常よりも２倍に増やすことで性能が向上した。同社は報道資料を通じて、「高速道路の料金所のブースの数を増やすことで車の流れを円滑することと同じ発想」だと説明している。

同社はさらに、消費電力の削減に向け、メモリーセルからの電圧を増幅するための回路であるセンスアンプも強化した。

ＳＫハイニックスが開発した次世代ＤＲＡＭ（同社提供）