【韓国】SK、10ナノ級半ばの次世代DRAMを開発[IT](2018/11/13)

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韓国半導体大手のSKハイニックスは12日、回路線幅が10ナノ(ナノは10億分の1)メートル台半ばのDRAMを開発したと発表した。

処理速度が速いDDR4型の8Gb(ギガビット)品で、10ナノメートル後半の既存製品と比べて、生産性が20%向上。消費電力も15%削減した。

通信速度は3,200メガビット毎秒(Mbps)と、DDR4型では最高水準の速度の安定的な維持に成功した。データ転送時に送受信する信号を通常よりも2倍に増やすことで性能が向上した。同社は報道資料を通じて、「高速道路の料金所のブースの数を増やすことで車の流れを円滑することと同じ発想」だと説明している。

同社はさらに、消費電力の削減に向け、メモリーセルからの電圧を増幅するための回路であるセンスアンプも強化した。

SKハイニックスが開発した次世代DRAM(同社提供)

SKハイニックスが開発した次世代DRAM(同社提供)

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